半导体的价值集中在制造与设计两端：材料层（光刻胶、电子特气、抛光液、靶材）由电子化学品链承载，这条链从前道设备切入——光刻、刻蚀、薄膜沉积、CMP、量测五类设备决定制程能否落地；往制造端走，8 / 12 吋晶圆产线与存储晶圆（DRAM / NAND）是产能的实体；往设计端走，AI 加速芯片与 HBM是算力周期的核心变量；先进封装（2.5D / 3D / CoWoS）把制程红利转成系统性能，最终落到数据中心、汽车电子与工业场景。
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备注—
每个节点按"设备卡点 · 制造工艺 · 设计变量 · 落地点"组织；设备端的验证周期与材料端的进口依赖，是这条链的两大主旋律。
硅料决定成本底 · 气体与靶材是耗材属性的耗材
高纯石英砂（坩埚与硅片原料，自给率高但高纯等级依赖进口）；工业硅 / 多晶硅（半导体级纯度要求远高于光伏级）；氦气（天然气提氦，半导体冷却与光纤用，全球储量集中）；稀土（镧铈镨钕镝铽，靶材与抛光粉的原料，2025 起受出口管制）；金属靶材（铝 / 钛 / 钽 / 铜，超高纯金属成型）；光刻胶树脂与 PAG（KrF 以上国产化率个位数）。
光刻胶、特种气体、抛光液、靶材在晶圆厂是按片消耗的耗材，不是设备折旧。国产替代的主战场因此不在"能不能做出来"，而在批次一致性与客户验证周期——这两项决定了替代是渐进还是阶跃。
材料成本占晶圆制造直接成本的相当比重，但真正卡脖子的是纯度与一致性：同一台光刻机，换一批光刻胶就可能改变良率曲线。这是国产材料验证周期普遍以年计的根本原因。
国产替代的主战场 · 验证周期比订单更能说明问题
光刻机是绝对卡点（尤其 ArF 浸没式与 EUV）；刻蚀机在成熟制程已实现突破，深孔刻蚀仍在追赶；薄膜沉积（PECVD / ALD）随先进制程权重上升；CMP 是国产化最成功的环节之一；量测检测（薄膜厚度、缺陷、关键尺寸）长期被卡在高端。
半导体设备的真实进度不是订单金额，而是客户端验证通过。一台设备从进入产线到批量采购通常需要 1–3 年，期间产线良率波动完全由设备稳定性决定。这决定了研报里"某厂设备进入某产线验证"这类表述，往往比"获得批量订单"更有信息量。
设备是这条链里唯一有明确国产替代叙事的环节，也是研报覆盖密度最高的环节：国产化率每提升一档，都会在财报里体现为毛利率与客户结构的同步变化。
产能的实体 · 先进与成熟是两条独立的投资逻辑
12 吋先进逻辑绑 AI 算力周期，先进制程（7nm 及以下）的产能与良率决定 AI 芯片供给；12 吋成熟制程（55nm–28nm）绑汽车、工业与消费电子，价格战最激烈；8 吋特色工艺（功率、模拟、射频、MCU、传感器、显示驱动）在国产替代里最先跑通，因为工艺分散、客户不集中、认证周期短。
DRAM 与 NAND 是这条链里价格弹性最大的部分：HBM 让 DRAM 结构从通用转向定制，先进封装需求反过来挤占通用产能，是当前存储涨价的结构性原因。晶圆厂扩产的是产能，HBM 消耗的是产能的"有效产出"。
代工与 IDM 两条模式并存：台积电、中芯国际、华虹以代工为主；长江存储、长鑫存储在存储上走 IDM。产能利用率、晶圆价格与折旧节奏是判断盈利拐点的三个变量。
把制程红利转成系统性能 · 算力周期最紧的一段
先进制程的良率与成本上升后，性能增益越来越难以靠"更小的晶体管"获得，于是用封装把多颗芯粒连起来成为主要路径。CoWoS（台积电）、SoIC、以及 HBM 的堆叠都是这条逻辑的产物——先进封装的产能，已经成为 AI 算力供给的瓶颈之一。
凸块与键合是互连基础；中介层（硅中介层 / 有机基板）是带宽与功耗的载体；先进封装基板（ABF / FC-BGA）长期依赖海外；HBM 堆叠对键合精度与测试提出极高要求；探针测试与终测是良率把关口。
封测是这条链里资本开支最轻、产能弹性最快的环节，因而在算力上行期最先兑现收入，也最先暴露价格压力。
需求从哪来 · 谁在出货、谁在扩产
AI 加速芯片（GPU / ASIC）由云厂商资本开支驱动，头部集中度极高；存储（HBM / DRAM / NAND）是价格周期品；模拟与电源绑工业与汽车，周期长、国产化快；功率器件（SiC / IGBT）绑新能源车与光伏，SiC 衬底与外延是材料端的卡点；射频与 MCU绑通信与汽车电子。
数据中心（AI 服务器）吃掉了最先进的一档产能；消费电子提供量；汽车电子提供增量与长认证周期；工业与能源电子提供抗周期性。设计公司、晶圆厂、封测厂三方的库存位置决定了周期切换的时点。
这条链与 AI 算力链在光模块、连接器、被动元件、液冷四处直接耦合；与光伏链在 SiC 功率器件与逆变器处耦合；与电子化学品链在全部耗材处耦合。
资源与基础材料 15
封装与测试 7
芯片设计 10
| 版本 | 数据截至 | 变更 |
|---|---|---|
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 首版发布：按「资源与基础材料 → 半导体设备 → 晶圆制造 → 封装与测试 → 芯片设计 → 下游应用」6 层级组织 52 节点 / 88 边 |
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 覆盖研报语料第一大行业（半导体，593 份报告未覆盖）：材料层含高纯石英砂 / 工业硅 / 多晶硅 / 电子级特气 / 湿电子化学品 / CMP 抛光液 / 溅射靶材 / 光刻胶树脂与 PAG / KrF·ArF 光刻胶 |
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 设备层 8 台套：光刻机 / 刻蚀机 / 薄膜沉积（PECVD·ALD）/ CMP 抛光 / 清洗 / 离子注入 / 量测检测 / 封装键合 |
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 制造层覆盖 12 吋先进逻辑、成熟制程、特色工艺（功率·模拟·射频）三类代工，以及 DRAM / NAND 晶圆制造、SiC 衬底与外延片 |
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 封测层覆盖传统封装（引线框架 / QFN）、先进封装（2.5D / 3D / CoWoS）、晶圆级封装（WLP / 扇出）、ABF·BT 先进封装基板、引线框架、CP 探针测试与 FT 成品测试 |
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 设计层 10 类：AI·GPU 加速芯片 / CPU / HBM / DRAM / NAND / 模拟与电源管理 / 射频通信 / MCU / 功率器件（IGBT·MOSFET）/ 碳化硅功率器件 |
| 2026.11.02-r1 | 2026-11-02 | 材料层与电子化学品链有交叠（特气 / 湿化学品 / 光刻胶 / 靶材）——本链只做「设备 + 制造 + 设计 + 封测」主线，材料细节看 echem 链 |